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　　第三代功率IC 软启动用IC 电流传感用IC IGBT保护用IC 电力电子器件技术发展重点

 

　　电力电子器件为效率高、体积小、性能可靠的电源适配器发展提供了可靠的基础。现在的电源适配器不仅要求效率高，而且要求具有功率因数校正功能和适应全球电源电压范围。

　　MOSFET与IGBT

 

　　MOSFET经近30年的发展，性能不断得到改进，耐压的提高、栅极抗静电击穿能力的提高、导通电阻的减小、栅极电荷与密勒电荷的减小、寄生二极管的反向恢复特性的改善。现在MOSFET，其低耐压器件的额定电流下的导通压降已是所有的电力电子器件中***低的，甚至栅极可以用0.7V电压驱动。高压器件也由于Coolmos的问世，其额定电流下的导通压降降低50%～70%(600V器件由12V～13V下降到约6V，800V器件约20V下降到约7.5V)；IGBT也通过20多年的发展从无抗短路能力到具有抗短路能力、从存在“二次击穿”现象到无“二次击穿”现象、从存在电流擎住现象到无电流擎住现象、导通压降的降低、栅极电荷的减小、开关速度的提高和拖尾电流的减小(开关损耗的减小)。极大地提高了IGBT的性能。耐压***高也达6500V，***大额定电流也提高到2400A。

 

　　从SCR到GTO再到IGCT

 

　　门极可关断晶闸管器件在大功率晶体管技术基础上可以制造出门极可关断 一个频道的非自动选讯或自动选讯接收机，后者因使用简单，特性稳定，是适合专业场合多频道同时使用，避免讯号干扰的***机种。

　　b、双频道机种：在一个接收机的机箱内，装配两个频率的非自动选讯或自动选讯接收机，充分利用机箱的空间，降低成本。因为设计简单，成为量产低价位厂商的主要机种。后者因为机构及电路复杂，内部互相干扰的处理及天线混合匹配不易，只有少数在生产专业机种的厂商才有的机型。

 

　　c、多频道机种：在一个接收机的机箱内，装配四个频以上的接收机,大都采用模组的机构设计。主要适用于装架式专业机种的使用场合。