对于高功率的组件,目前的半片工艺(如下图所示:增加组件内部电路)随着组件功率越来越大,同样的组件尺寸半片PERC工艺甚至已突破400W,同样的功率,电流和热斑能降低一半,由此可带来热斑温度大幅下降。同样条件下从之前的170℃下降到148℃左右。在IEC标准规定的安全范围。因此,对高功率组件目前此方法效果最好。
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对于高功率的组件,目前的半片工艺(如下图所示:增加组件内部电路)随着组件功率越来越大,同样的组件尺寸半片PERC工艺甚至已突破400W,同样的功率,电流和热斑能降低一半,由此可带来热斑温度大幅下降。同样条件下从之前的170℃下降到148℃左右。在IEC标准规定的安全范围。因此,对高功率组件目前此方法效果最好。
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