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USB SPI控制器设计

2022-03-22 09:31:57浏览:98 评论:0 来源:易企互赢   
核心摘要:USB PD控制器设计USB PD 控制器对于实现前述讨论的功能至关重要。它必须能够控制 GPIO,并以更小的损耗通过其 VBUS FET处 理 大 电 流 。在 此 特 定 示 例 中 , 使 用 的 是TPS65987D。为了控制上一节中所述的 LM3489 DC/DC,TPS65987D 使用真值表(表 1)中的两个GPIO 来产生输出电压。或者,如果系统的输入电压低于 20
 
 
USB PD控制器设计
USB PD 控制器对于实现前述讨论的功能至关重要。它必须能够控制 GPIO,并以更小的损耗通过其 VBUS FET处 理 大 电 流 。在 此 特 定 示 例 中 ,  使 用 的 是TPS65987D。为了控制上一节中所述的 LM3489 DC/DC,TPS65987D 使用真值表(表 1)中的两个GPIO 来产生输出电压。
 
或者,如果系统的输入电压低于 20 V,则可以使用自 带 I2C 的降压/升压控制器(如 bq25703A 代替LM3489。虽然您通常需要一个微控制器(MCU)来控制降压升压控制器,但是借助 TPS65987D 的集成 I2C 主机,MCU 就不再必需。
根据 USB PD 协议,在其配置通道(CC)线路上带有RD 的设备必须将 DC/DC 控制器的输出电容与 VBUS 隔离。在这种情况下,系统必须具有 VBUS FET 以满足此协议。TPS65987D 有两个高压背对背集成 FET,可满足此要求。TPS65987D 中的内部 FET 在 25°C 环境温度下的 RDS(on)约为 25mΩ。对于高电流应用,此电阻可能太高。当 5 A 的电流通过其中一个内部 FET 时,FET中将消耗大约 750 mW 的功率。通过双电源模式,TPS65987D 能够同时并联关闭其两个内部电源路径。这种模式有效地将电源路径的 RDS(on)减半,并且还使FET 内部的功耗减半。图 3 重点说明了 PD 控制器如何与此电源架构连接。
 
(责任编辑:小编)
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