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IGBT进入变频器领域，使变频器的性能得到质的飞跃和廉价化。变频器的廉价化使其应用更加广泛，在很多环境恶劣应用中要求变频器具有承受外界短路能力的需求，推动了具有抗短路能力的IGBT，时值今日变频器中的IGBT无一例外地采用了推动了具有抗短路能力的IGBT。
受到380V电网的变频器的广泛应用的鼓舞，中高压变频器也迫切需要脱离不能自关断的SCR束缚。尽管GTO可以解决中高压变频器的器件门极可关断问题，但GTO自身结构的缺陷使驱动电路和电路结构的技术要求极高，不能被大多数电力电子工程师掌握，只能掌握在少数公司。为降低技术难度的门槛，本世纪初，在MOS控制晶闸管(MCT)和GTO基础上的IGCT问世。IGCT继承了SCR的低导通压降又得益于超大规模集成电路技术，使得IGCT可以通过门极控制方便地关断IGCT。得益于IGCT，中高压变频器的大规模应用得以实现。可以相信IGCT必将取代GTO。
电能质量控制
电力电子器件的发展促进了电能质量控制：在相位无功补偿领域，SCR的应用，以晶闸管控制电抗器(CTR)和晶闸 IPM模块构成。
交流电机变频调速技术
在交流电机变频调速领域，上世纪70年代，交流电动机的变频调速技术还是利用晶闸管(SCR)变频器苦苦挣扎，使变频调速成为技术上的阳春白雪和实用中的鸡肋。社会迫切需求中小功率的变频器，从而推动了大功率晶体管模块(GTR)的问世和发展，同时也极大地推动了中小功率变频器的快速发展，使其真正地步入实用化。
在晶体管变频器的使用过程中也发现了(GTR)的导通损耗较大，所需的驱动功率大的问题，迫切需要导通损耗较小、驱动功率小的器件。在功率MOSFET问世后又派生出绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)，上世纪80年代末IGBT的性能已全面超过GTR，于上世纪90年代中期IGBT无论在性能上还是在价格上全面超过GTR(目前的低压降型IGBT的导通压降已不到2V，远低于GTR的5V)，使GTR惨遭淘汰。
