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基本半导体有限公司

SiC碳化硅MOSFET|OBC SiC MOSFET|DC-DC SiC MOSFET|组串逆变...

网站公告
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
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首页 > 新闻中心 > OBC DC-DC碳化硅SiC MOSFET 光伏储能碳化硅MOSFET 充电桩电源模块
新闻中心
OBC DC-DC碳化硅SiC MOSFET 光伏储能碳化硅MOSFET 充电桩电源模块
发布时间:2021-10-20        浏览次数:11        返回列表
 
碳化硅MOSFET
产品详情
 
 
 

 

碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET(TO-247-4)可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

(V)

ID

(A)

RDS(on)

(mΩ)

Qg

(nC)

 

Eon

(µJ)

 

Eoff

(µJ)

Package Name

 

B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 样品申请
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

TO-247-3

样品申请

B1M080120HK 1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 样品申请
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

TO-247-3

样品申请

B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 样品申请

 

 
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支***化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。
 
       基本半导体掌握***领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到***先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
 
       基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是深圳第三代半导体研究院发起单位之一,广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心,公司及产品荣获2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”***技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。